高光產品 | 卡博萊特蓋羅布里奇曼晶體生長爐工藝介紹 (下篇)
布里奇曼法的物理背景是熔融樣品材料,然后再結晶形成所需晶格的晶體,這個過程一定是需要坩堝的。預先合成的原材料需要提前放進坩堝,對于最高1200°C低溫應用,常用的是石英安瓿瓶,安瓿瓶內可以抽真空。高溫應用采用陶瓷坩堝,是經特殊設計專門針對布里奇曼晶體生長的自播種式陶瓷坩堝。
裝好樣品的坩堝放入精確控制晶種(子晶)溫度的布里奇曼系統內,建立工藝所需的氣氛。然后加熱到一定溫度,樣品在坩堝內融化的同時,不能讓晶種融化。經過一定時間的保溫后,坩堝通過拉伸機構以設定好的位移速度通過溫度梯度區域到低溫區。這個過程中,坩堝的頂端開始生成結晶。在移動的過程中,結晶變得越來越大,并主導后續的生長。晶體生長的時間可以持續數天。晶體的成功生長取決于無振動的環境。微小的機械振動或者是實驗室的微小振動都會影響晶體生長。只有整個過程結束后才能看到結果。整個融化物都會形成結晶。在最后一步回火工藝時,退火溫度保持在晶體熔點以下。坩堝慢慢冷卻后即可從系統內取下。晶體定向生長完成后,一般都會切成片狀用于后續使用或分析。
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